摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。