封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）