目的：硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。 常用設(shè)備：等離子刻蝕機，等離子體去膠機和濕法清洗設(shè)備。
光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
摻雜后退火時間一般在（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
常壓的硅外延方法有（）。
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。