問(wèn)答題什么是等離子體,為什么要在等離子體中使用RF能量?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題什么是外延層,為什么在硅片上使用它?
2.問(wèn)答題列舉硅片的七種質(zhì)量要求。
3.問(wèn)答題定義晶體生長(zhǎng),什么是CZ單晶生長(zhǎng)法?
4.問(wèn)答題MOS器件中用的最多的是哪種方向晶向,雙極型用的最多的是哪幾種?
5.問(wèn)答題為什么要用單晶進(jìn)行硅片制造?
最新試題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題