單項選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
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1.單項選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
2.單項選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
3.單項選擇題二氧化硅中每個硅原子周圍有（）個氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
4.單項選擇題以下哪項不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
5.單項選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
最新試題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
因為QFP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
根據(jù)焊點的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題