金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

（）可以通過帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。