刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）

金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

堅膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）