濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）