下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。