封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。