單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應(yīng)使用()。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
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1.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括()。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
2.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
3.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
4.單項(xiàng)選擇題材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化,這是材料的()。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應(yīng)力系數(shù)
D.熱應(yīng)變系數(shù)
5.單項(xiàng)選擇題潮氣滲透可用以下哪種方法測定?()
A.稱重池
B.隔離池
C.吸收因子
D.膨脹系數(shù)
最新試題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型:判斷題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題