問答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝

答案: 高能量、低電流的離子注入;加熱退火/擴(kuò)散工藝;自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝。
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述集成電路制造中的四種隔離技術(shù)

答案: 整面全*區(qū)覆蓋氧化層、局部硅氧化(LOCOS)、淺槽隔離(STI)、P型摻雜結(jié)也可以用于形成相鄰晶體管的電氣隔離。
問答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMP技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

答案: 優(yōu)點(diǎn):
(1)CMP可以將晶圓表面平坦化,可以允許高解析度的光刻技術(shù)。被平坦化的表面可以消除側(cè)壁變薄引起金屬導(dǎo)...
微信掃碼免費(fèi)搜題