制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。