那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

PN結(jié)的基本特性是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。