影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。