為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準單位制）？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。