規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。