什么是MOS器件的體效應(yīng)？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。