問(wèn)答題

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。


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最新試題

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

題型：多項(xiàng)選擇題

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}