比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。