常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝的特點包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。