進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。