A.是1947年Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的
B.是Ge(鍺)晶體管
C.是Si(硅)晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
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A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散
A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
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最新試題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
鍵合工藝失效,焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑的原因有()。
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形()。
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。