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單項(xiàng)選擇題下面哪一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗（）。

A.薄膜沉積
B.薄膜成長(zhǎng)
C.蒸發(fā)
D.濺射

1.多項(xiàng)選擇題下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅

2.多項(xiàng)選擇題以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。

A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅

3.單項(xiàng)選擇題晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。

A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場(chǎng)氧化層

4.單項(xiàng)選擇題多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅

5.單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide