單項(xiàng)選擇題

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅

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單項(xiàng)選擇題

請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

單項(xiàng)選擇題

請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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