單項(xiàng)選擇題多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅
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1.單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱(chēng)：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
2.單項(xiàng)選擇題請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱(chēng)：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
3.單項(xiàng)選擇題單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
4.單項(xiàng)選擇題在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體
A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢(shì)壘
D.場(chǎng)氧化層
5.單項(xiàng)選擇題在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用（）來(lái)完成淺溝槽隔離STI。
A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕
最新試題
刻蝕的過(guò)程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題