A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA
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A.化學(xué)增強(qiáng)
B.化學(xué)減弱
C.厚度增加
D.厚度減少
A.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹,因此分辨率高于負(fù)膠
B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解,負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解
C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹,因此分辨率不會(huì)降低
D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)易溶解,負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)難溶解
E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹,導(dǎo)致了分辨率的降低
A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解
B.正膠的感光區(qū)域溶解
C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解
D.正膠的感光區(qū)域不溶解
E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解
A.樹脂
B.感光劑
C.HMDS
D.溶劑
E.PMMA
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
最新試題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
影響顯影工藝的因素有()。
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感,但對(duì)()光不敏感。
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()