單項(xiàng)選擇題用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
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1.單項(xiàng)選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。
A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
2.多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。
A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
3.單項(xiàng)選擇題在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
4.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
5.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在900～1050℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
最新試題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項(xiàng)選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：問答題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題