A.化學(xué)增強(qiáng)
B.化學(xué)減弱
C.厚度增加
D.厚度減少
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A.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹,因此分辨率高于負(fù)膠
B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解,負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解
C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹,因此分辨率不會(huì)降低
D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)易溶解,負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)難溶解
E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹,導(dǎo)致了分辨率的降低
A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解
B.正膠的感光區(qū)域溶解
C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解
D.正膠的感光區(qū)域不溶解
E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解
A.樹(shù)脂
B.感光劑
C.HMDS
D.溶劑
E.PMMA
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
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最新試題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問(wèn)題有()
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理?
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感,但對(duì)()光不敏感。