晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

梯度功能材料的主要特征有（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

低維材料主要包括（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長一層晶體薄膜。

有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說法有（）。

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）