提拉法生長(zhǎng)單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

屬于一維材料的有（）

晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）