多項選擇題薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）
A.核生長型
B.層生長型
C.層核生長型
D.層間生長型
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1.單項選擇題在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。
A.大島
B.小島
C.基體
D.大島和小島邊界層
2.單項選擇題不屬于影響成核過程的因素有（）
A.基片表面存在的成核位壘
B.蒸發(fā)速率
C.表面擴散系數(shù)
D.升華熱Qs
3.多項選擇題凝聚開始的條件主要取決于（）
A.解吸能的大小
B.升華熱的大小
C.解吸能與升華熱的差值
D.解吸能與生化熱的比值
4.多項選擇題水熱法制備水晶，為了使之具有足夠的溶解度并能以適當?shù)乃俣冗M行質(zhì)量良好的生長，需選擇合適的（）。
A.溶劑
B.溫度
C.壓力
D.氣氛
5.多項選擇題水熱生長溶液中，還應加入一些礦化劑。礦化劑的作用有（）
A.增大原料的溶解度
B.增大原料的溶解度溫度系數(shù)
C.影響晶體的結(jié)晶習性
D.影響晶體的生長速度
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固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）
題型：多項選擇題
關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）
題型：多項選擇題
晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。
題型：多項選擇題
臨界驅(qū)動力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅(qū)動力。
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利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
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薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）
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適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應具有（）
題型：多項選擇題
降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
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使參與反應的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）
題型：單項選擇題
陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。
題型：單項選擇題