A.沉積溫度B.反應(yīng)氣體的比例C.基體材料D.壓強(qiáng)
A.淀積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)B.原子從蒸發(fā)源輸運(yùn)到基片C.蒸氣粒子在基片上沉積D.粒子在基片表面重排凝結(jié)成膜
A.可以直接觀察晶體的生長狀況,為控制晶體外形提供了有利條件B.晶體在熔體的自由表面處生長,能夠顯著減小晶體的應(yīng)力C.可以得到不同取向的單晶體,降低位錯密度D.能夠以較快的速度生長較高質(zhì)量的晶體