完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

什么是非奇異面？（）

屬于影響成核過程的因素有（）

陽極氧化過程存在著（）兩個相反的過程。

屬于一維材料的有（）