多項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。
A.形成
B.孵化
C.生長(zhǎng)
D.團(tuán)聚
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1.多項(xiàng)選擇題降溫法生長(zhǎng)關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長(zhǎng)速率
2.單項(xiàng)選擇題膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。
A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍
3.單項(xiàng)選擇題氣相生長(zhǎng)晶體的關(guān)鍵是（）
A.嚴(yán)格選擇和控制生長(zhǎng)條件
B.溫場(chǎng)的合理設(shè)計(jì)
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動(dòng)干擾較少
4.單項(xiàng)選擇題氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
A.二維晶核
B.臺(tái)階
C.扭折
D.團(tuán)簇
5.單項(xiàng)選擇題什么是非奇異面？（）
A.取向在奇異面鄰近的晶面
B.表面能級(jí)圖中極小值的點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的晶面
C.表面能級(jí)圖中極大值的點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的晶面
D.除了奇異面和鄰位面以外的面
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提拉法生長(zhǎng)單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響CVD質(zhì)量的因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
梯度功能材料的主要特征有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
不屬于影響成核過程的因素有（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是非奇異面？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。
題型：多項(xiàng)選擇題