多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較,下列那種說法正確()
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量(如粘附性、保形性等)更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量(如粘附性、保形性等)更好
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1.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí),靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上()
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
2.單項(xiàng)選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極,多采用下列哪種工藝方法()
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
3.單項(xiàng)選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的()
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
4.單項(xiàng)選擇題LPCVD-SiO2,將工藝控制在較高溫度,有:ks>hg,此時(shí)淀積速率的特點(diǎn)為()
A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對(duì)淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會(huì)對(duì)淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制
5.單項(xiàng)選擇題在已擴(kuò)散結(jié)深達(dá)0.8μm的p-Si上再進(jìn)行濕氧,氧化層厚0.2μm時(shí),結(jié)深是多少()
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題