單項(xiàng)選擇題

為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）

A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD

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單項(xiàng)選擇題

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）

A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD

單項(xiàng)選擇題

LPCVD-SiO₂，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時(shí)淀積速率的特點(diǎn)為（）

A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對(duì)淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會(huì)對(duì)淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制

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