單項(xiàng)選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時(shí)淀積速率的特點(diǎn)為（）

A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對(duì)淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會(huì)對(duì)淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制


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3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說(shuō)法正確（）

A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低

4.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)在何時(shí)不可以看成是常數(shù)（）

A.在本征硅上擴(kuò)散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重?fù)诫sp型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴(kuò)散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時(shí)進(jìn)行氧化

5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散摻雜，擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。

A.大，場(chǎng)助擴(kuò)散
B.大，橫向擴(kuò)散
C.小，橫向擴(kuò)散
D.大，氧化增強(qiáng)