單項選擇題

LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）

A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制

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