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微電子學(xué)判斷題每日一練(2020.04.13)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.判斷題
常用來(lái)制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的材料是直接躍遷晶體材料。
參考答案:
正確
2.判斷題
同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。
參考答案:
錯(cuò)誤
3.判斷題
側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
參考答案:
正確
4.判斷題
在LPCVD中,由于hG>>kS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù),所以,LPCVD系統(tǒng)中,淀積過(guò)程主要是表面反應(yīng)速率控制
參考答案:
正確
5.判斷題
在集成電路制造工藝步驟中,光刻與刻蝕能把掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上來(lái)。
參考答案:
正確