半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.22)

問答題
什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？
答案：擴散效應是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴散效應對界...
問答題
簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
答案：在光柵掃描方法中，每一個像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時間幾乎與圖形無關，圖形就是通過打開和關閉快門寫出來的。而已經(jīng)開發(fā)...
問答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
答案：可動離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...
問答題
對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1?，F(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。
答案：反應室類型熱壁：反應室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...
問答題
下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。
答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原...

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半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.22)

什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.22)

什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。