問答題

【論述題】
下圖為硅外延生長速度對H₂中SiCL₄摩爾分量的函數曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

答案： SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原...

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【論述題】影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？

答案： 1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質量輸運控制，并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

【論述題】簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

答案：生長過程：①傳輸：反應物從氣相經邊界層轉移到Si表面；②吸附：反應物吸附在Si表面；③化學反應：在Si表面進行化學反應，...