問答題

【論述題】對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。現(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。

答案： 反應室類型熱壁：反應室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【論述題】

下圖是硅烷反應淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
答案： （1）反應氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運；
（2）這些氣體反應生成系列次生分子；
（3）這些反應物輸...
問答題

【論述題】常用濺射技術(shù)有哪幾種，簡述它們的工作原理和特點。
答案： 直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負直流電壓的的是...
微信掃碼免費搜題