下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。