最新試題
摻雜后,退火的目的是()。
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
常壓的硅外延方法有()。