單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=！（（A·B）·（C+D））
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1.單項(xiàng)選擇題對于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
2.單項(xiàng)選擇題
下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
3.單項(xiàng)選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會(huì)使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
4.單項(xiàng)選擇題如果跨導(dǎo)減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。
A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定
5.多項(xiàng)選擇題?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。
A.TiN是勢壘層（阻擋層）
B.兩個(gè)都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層
最新試題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題