單項選擇題在PMOS中,襯底上加上正電壓偏置,會使閾值電壓()。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
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1.單項選擇題如果跨導(dǎo)減小,MOS晶體管的噪聲電流將()。
A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定
2.多項選擇題?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中,Ti和TiN的作用是()。
A.TiN是勢壘層(阻擋層)
B.兩個都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層
3.多項選擇題Poly-Si gate的刻蝕應(yīng)采用什么特性和什么方法的刻蝕?()
A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕
4.多項選擇題在STI工藝中,緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是()。
A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝
5.多項選擇題1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是()。
A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
下面不屬于QFP封裝改進品質(zhì)的是()。
題型:單項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題
根據(jù)焊點的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項選擇題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題