填空題干法刻蝕適用于（） （粗/細(xì)）線條。
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1.判斷題擴(kuò)散只用于淺結(jié)的制備
3.單項(xiàng)選擇題離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個橫向效應(yīng)?。ǎ?/a>
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
5.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時(shí)間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
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