問(wèn)答題什么情況下器件的柵極通常要考慮采用蘑菇型即T型柵極?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題亞微米、深亞微米和納米的具體范圍是多少?
2.問(wèn)答題二維電子氣是如何形成的?
3.問(wèn)答題高電子遷移率晶體管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
4.問(wèn)答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么?
5.問(wèn)答題為什么說(shuō)柵長(zhǎng)是MESFET的重要參數(shù)?
最新試題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題