填空題曝光后顯影時(shí)感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.單項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)屬于主擴(kuò)散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
3.單項(xiàng)選擇題
不論正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅(jiān)膜
以下選項(xiàng)排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無(wú)定形二氧化硅
5.名詞解釋再分布
最新試題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題