直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

PN結(jié)的基本特性是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。