載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）